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    • 专利摘要:
    一種減少由靜電放電衝擊導致的訊號線與切換裝置損壞的液晶顯示裝置及其製造方法。該液晶顯示裝置包括複數個像素，由複數條閘極線與複數條資料線之間的交叉點界定；複數個虛擬像素，沿著該等像素的四周設置；複數條共同線，與該等閘極線平行設置，該等共同線連接至該等像素及該等虛擬像素；第一閘極金屬，接收外部共同電壓；複數個第二閘極金屬，從該等共同線向一側延伸，該等第二閘極金屬具有墊狀物形狀；源極-汲極金屬，設置在與該等資料線平行的方向上，且位於該等第二閘極金屬的一側；第一連接圖案，電性連接該第一閘極金屬與該源極-汲極金屬；以及第二連接圖案，電性連接該源極-汲極金屬與該等第二閘極金屬。
    公开号:TW201324011A
    申请号:TW101143149
    申请日:2012-11-19
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Eun-Mi Kwon；Jung-Bum Kim
    申请人:Lg Display Co Ltd；
    IPC主号:G02F1-00
    专利说明:
    液晶顯示裝置及其製造方法
    本發明涉及一種液晶顯示裝置，尤其是，涉及一種得以減少由於靜電放電衝擊導致的訊號線與切換裝置損壞的液晶顯示裝置以及製造該裝置的方法。
    通常，為了防止靜電放電(electrostatic discharge，ESD)引入到像素中，液晶顯示裝置包含設置在不顯示影像的非顯示區中的防靜電放電電路。該防靜電放電電路設置在閘極線的引入部分中，以將掃描訊號施加到像素，以及設置在資料線的引入部分中，以將資料電壓施加到像素。這種防靜電放電電路將引入到資料線與閘極線中的靜電放電傳導至共同線，並且引入到共同線中的靜電放電流向閘極線或資料線。
    同時，近年來，依據向著高解析度與增大尺寸的趨勢，液晶顯示裝置被設計成具有更小寬度的閘極線與資料線以及更小尺寸的切換裝置。這些行為意味著閘極線與資料線以及切換裝置變得更加容易受到靜電放電衝擊的破壞。因此，需要能夠更加有效地保護像素中的閘極線與資料線以及切換裝置免受靜電放電衝擊的技術。
    據此，本發明是針對一種實質上消除了由於先前技術的限制與缺點而造成的一個或多個問題的液晶顯示裝置以及製造該裝置的方法。
    本發明的一個目的是提供一種液晶顯示裝置以及製造該裝置的方法，以便減少由於靜電放電衝擊造成的訊號線與切換裝置的損壞。
    本發明的其他優點、目的以及特徵將在下面的描述中部分地闡明，並且部分其他優點、目的以及特徵在以下考查的基礎上對本領域技術人員而言將變得顯而易見，或者可以從本發明的實踐中領會到。除了所附圖式之外，還可以通過文字描述及本文的申請專利範圍中特別指出的結構意識到並獲得本發明的目的與其他優點。
    為了達到上述目的與其他優點，依據如本文中體現並概括描述的本發明的目的，一種液晶顯示裝置包括：複數個像素，由複數條閘極線與複數條資料線之間的交叉點界定；複數個虛擬像素，沿著該等像素的四周設置；複數條共同線，與該等閘極線平行地設置，該等共同線連接至該等像素及該等虛擬像素；一第一閘極金屬，用來接收一外部共同電壓；複數個第二閘極金屬，從該等共同線向一側延伸，該等第二閘極金屬具有墊狀物形狀；一源極-汲極金屬，設置在與該等資料線平行的方向上，且位於該等第二閘極金屬的一側；一第一連接圖案，用來電性連接該第一閘極金屬與該源極-汲極金屬；以及一第二連接圖案，用來電性連接該源極-汲極金屬與該等第二閘極金屬。
    該液晶顯示裝置可進一步包括：複數個第三閘極金屬，從該等共同線向另一側延伸，該等第三閘極金屬具有一墊狀物形狀；以及一第三連接圖案，用來電性連接該第一閘極金屬與該等第三閘極金屬。
    該等第一至第三閘極金屬與該等共同線可由處於同一層中之與該等閘極線相同的材料形成。
    該源極-汲極金屬可由處於同一層中之與該等資料線相同的材料形成。
    該等第一至第三連接圖案可由處於同一層中之與設置在該等像素中的像素電極相同的材料形成。
    該液晶顯示裝置可進一步包括：一虛擬資料線，平行於該等資料線而形成，以便相鄰於第一條以及最後一條資料線；一虛擬共同線，在與該等閘極線平行的方向上從所述第一閘極金屬中分支出來，該虛擬共同線橫貫該等資料線以及該虛擬資料線；一第一防靜電放電電路，介於該等資料線與該虛擬共同線之間，該第一防靜電放電電路連接至該等資料線以及該虛擬共同線；一第二防靜電放電電路，介於該虛擬共同線與該第一閘極金屬之間，該第二防靜電放電電路連接至該虛擬共同線以及該第一閘極金屬；以及一第三防靜電放電電路，介於該虛擬資料線與該虛擬共同線之間，該第三防靜電放電電路連接至該虛擬資料線以及該虛擬共同線，其中該虛擬資料線設置在該第二防靜電放電電路與該第三防靜電放電電路之間。
    該液晶顯示裝置可進一步包括：一第四防靜電放電電路，介於該等閘極線與該源極-汲極金屬之間，該第四防靜電放電電路連接至該等閘極線以及該源極-汲極金屬。
    本發明另一方面，一種製造液晶顯示裝置的方法包括：在一基板上形成彼此相交的複數條閘極線與複數條資料線，以界定複數個像素區；在該等像素區中形成複數個像素，每個像素包括一薄膜電晶體與一像素電極；沿著該等像素的四周形成複數個虛擬像素；形成複數條與該等閘極線平行設置且與該等像素及該等虛擬像素連接的共同線，以及複數個從該等共同線向一側延伸且具有一墊狀物形狀的第二閘極金屬；形成一電性連接至一墊狀物單元的第一閘極金屬，以接收一外部共同電壓；形成一源極-汲極金屬，該源極-汲極金屬設置在與該等資料線平行的方向上，且位於該等第二閘極金屬的一側；以及形成一用於電性連接該第一閘極金屬與該源極-汲極金屬的第一連接圖案以及一用於電性連接該源極-汲極金屬與該等第二閘極金屬的第二連接圖案。
    該方法可進一步包括：形成複數個從該等共同線向另一側延伸且具有墊狀物形狀的第三閘極金屬；以及形成一用於電性連接該第一閘極金屬與該等第三閘極金屬的第三連接圖案。
    該等第一至第三閘極金屬與該等共同線可由處於同一層中之與該等閘極線相同的材料形成。
    該源極-汲極金屬可由處於同一層中之與該等資料線相同的材料形成。
    該等第一至第三連接圖案可由處於同一層中之與該像素電極相同的材料形成。
    該方法可進一步包括：形成一平行於該等資料線的虛擬資料線，使得該虛擬資料線相鄰於第一條以及最後一條資料線；形成一虛擬共同線，使得該虛擬共同線在與該等閘極線平行的方向上從所述第一閘極金屬中分支出來，並且該虛擬共同線橫貫該等資料線以及該虛擬資料線；形成一第一防靜電放電電路，使得該第一防靜電放電電路介於該等資料線與該虛擬共同線之間，並且連接至該等資料線以及該虛擬共同線；形成一第二防靜電放電電路，使得該第二防靜電放電電路介於該虛擬共同線與該第一閘極金屬之間，並且連接至該虛擬共同線以及該第一閘極金屬；以及形成一第三防靜電放電電路，使得該第三防靜電放電電路介於該虛擬資料線與該虛擬共同線之間，並且連接至該虛擬資料線與該虛擬共同線，其中該虛擬資料線設置在該第二防靜電放電電路與該第三防靜電放電電路之間。
    該方法可進一步包括：形成一第四防靜電放電電路，使得該第四防靜電放電電路設置在該等閘極線與該源極-汲極金屬之間，並且連接至該等閘極線以及該源極-汲極金屬。
    該等第一至第四防靜電放電電路可與設置在該像素區中的該薄膜電晶體同時形成。
    將要理解的是，本發明前面的概括描述與下面的詳細描述均是示範性與說明性的，是意圖提供主張的發明的進一步解釋。
    2‧‧‧液晶面板
    4‧‧‧閘極驅動器
    6‧‧‧資料驅動器
    8‧‧‧共同電壓供應裝置
    10‧‧‧第一閘極金屬
    12‧‧‧第二閘極金屬
    14‧‧‧第三閘極金屬
    16‧‧‧源極-汲極金屬
    18‧‧‧第一連接圖案
    20‧‧‧第二連接圖案
    22‧‧‧第三連接圖案
    24a‧‧‧第一防靜電放電電路
    24b‧‧‧第二防靜電放電電路
    24c‧‧‧第三防靜電放電電路
    24d‧‧‧第四防靜電放電電路
    26‧‧‧閘極電極
    28‧‧‧半導體層
    30‧‧‧源極電極
    32‧‧‧汲極電極
    34‧‧‧歐姆接觸層
    36‧‧‧像素電極
    50‧‧‧基板
    60‧‧‧閘極絕緣膜
    70‧‧‧保護膜
    AA‧‧‧顯示區
    Clc‧‧‧液晶電容器
    CL‧‧‧共同線
    Cst‧‧‧儲存電容器
    DA‧‧‧虛擬區
    DCL‧‧‧虛擬共同線
    DDL‧‧‧虛擬資料線
    DL‧‧‧資料線
    DP1‧‧‧虛擬像素
    DP2‧‧‧虛擬像素
    GL‧‧‧閘極線
    H1‧‧‧第一接觸孔
    H2‧‧‧第二接觸孔
    H3‧‧‧第三接觸孔
    H4‧‧‧第四接觸孔
    H5‧‧‧第五接觸孔
    H6‧‧‧第六接觸孔
    P‧‧‧像素
    TFT‧‧‧薄膜電晶體
    Vcom‧‧‧共同電壓
    所附圖式被包括是為了提供本發明的進一步理解，納入到本文中並構成了本申請的一部分，舉例說明本發明的實施例，同時與說明書一同為解釋本發明的原理。在圖式中：第1圖為舉例說明依據本發明一實施例的液晶顯示裝置的配置圖；第2圖為舉例說明第1圖中所示之液晶面板2的區域A的放大圖；第3圖為舉例說明第1圖中所示之液晶面板的區域B的放大圖；第4圖為舉例說明本發明效果的比較示例；第5圖舉例說明靜電放電衝擊集中於具體共同線中導致資料線損壞的示例；以及第6圖為舉例說明包含在像素區中之薄膜電晶體TFT的示意性截面圖以及沿著第2圖中所示之TFT的X-Y線的截面圖。
    現在將詳細參考本發明的較佳實施例，其示例由所附圖式舉例說明。只要可能，在圖示中同樣的參考號碼將始終用來表示相同或類似的部分。
    下文中，將參考所附圖式詳細地描述依據本發明一實施例的液晶顯示裝置以及製造該裝置的方法。
    第1圖為舉例說明依據本發明一實施例之液晶顯示裝置的配置圖。
    第1圖中所示的液晶顯示裝置包括液晶面板2、閘極驅動器4、資料驅動器6以及共同電壓供應裝置8。
    液晶面板2界定顯示區AA以及虛擬區DA，在該顯示區AA中顯示影像，該虛擬區DA為顯示區AA的外部區域。
    排列成矩陣形式的複數個像素P設置在顯示區AA中。該等像素P被設置在複數個像素區中。該等像素區由複數條閘極線GL與複數條資料線DL之間的交叉點界定。每個像素P包括薄膜電晶體TFT、液晶電容器Clc以及儲存電容器Cst。該液晶電容器Clc依據電場來驅動液晶，該電場是由通過薄膜電晶體TFT施加至像素電極的資料電壓與通過共同線CL施加至公共電極的共同電壓Vcom之間的電壓差產生的。該儲存電容器Cst維持施加至像素電極的資料電壓一段預定時間。
    不顯示影像的複數個虛擬像素DP1與DP2設置在虛擬區DA中。該等虛擬像素DP1與DP2沿著設置在顯示區AA中的該等像素P的四周設置。同時，在虛擬區DA中設置第一至第三閘極金屬10、12及14、源極-汲極金屬16以及複數個防靜電放電電路，所述第一至第三閘極金屬10、12及14將共同電壓Vcom從共同電壓供應裝置8施加至複數條共同線CL，該等防靜電放電電路保護該等訊號線與設置在該等像素P中的該等薄膜電晶體TFT免遭外部靜電放電的衝擊(參見第2圖與第3圖)。
    閘極驅動器4相繼提供掃描訊號至閘極線GL。該掃描訊號為脈衝訊號，具有個導通包含在像素區中之薄膜電晶體TFT的導通閘極電壓與關閉薄膜電晶體TFT的關閉閘極電壓的值。
    資料驅動器6利用標準伽瑪電壓將從外部提供的影像資料轉變成資料電壓，並將轉變後的資料電壓施加至資料線DL。
    共同電壓供應裝置8將經過第一至第三閘極金屬10、12及14以及設置在虛擬區DA中的源極-汲極金屬16的共同電壓Vcom施加至共同線CL(參見第2圖與第3圖)。
    特別地，在本實施例中，共同電壓Vcom施加至共同線CL所經過的路徑之間的電阻偏差減小，因此能夠阻止可能由高壓靜電放電的集中提供所引起的線路破壞或者薄膜電晶體TFT的損壞。
    下文中，將詳細描述共同電壓Vcom施加至複數條共同線CL所經過的路徑。
    第2圖為舉例說明第1圖中所示之液晶面板2的區域A的放大圖。第3圖為舉例說明第1圖中所示之液晶面板的區域B的放大圖；參閱第2圖與第3圖，複數條閘極線GL排列在第一方向上(例如水平面)，複數條資料線DL排列在垂直於第一方向的第二方向上(例如縱向)。另外，複數條共同線CL排列在第一方向上，使得共同線CL平行於閘極線GL。
    複數個虛擬像素(DP)包括複數個排列在第一方向上的第一虛擬像素DP1以及複數個排列在第二方向上的第二虛擬像素DP2。
    該等第一虛擬像素DP1設置在顯示區AA的上部與下部，使得其相鄰於排列在第一行與最後一行的像素P。該等第二虛擬像素DP2設置在顯示區AA的左側部與右側部，使得其相鄰於排列在第一列與最後一列的像素P。儘管在第2圖與第3圖中舉例說明該等第二虛擬像素DP2設置成三列的示例，但是該等第二虛擬像素DP2可設置成若干列。供參考，第一虛擬像素DP1連接至共同線CL，而不是連接至閘極線GL。
    同時，如上所述，第一至第三閘極金屬10、12及14以及源極-汲極金屬16設置在虛擬區DA中，將描述於下面。
    第一閘極金屬10形成在虛擬區DA的周圍，並電性連接至墊狀物單元(圖中未顯示)，該墊狀物單元電性連接至共同電壓供應裝置8。第二閘極金屬12從共同線CL向一側(例如左側)延伸，以形成墊狀物形狀。第三閘極金屬14從共同線CL向另一側(例如右側)延伸，以形成墊狀物形狀。第一至第三閘極金屬10、12及14以及共同線CL可由處於同一層中之與閘極線GL相同的材料構成。
    參閱第2圖，源極-汲極金屬16設置在第二方向上，且位於第二閘極金屬12的一側。源極-汲極金屬16可例如設置在閘極墊狀物單元(圖中未顯示)與第二閘極金屬12之間。這種情況下，為了防止源極-汲極金屬16與閘極線GL之間短路，源極-汲極金屬16可由處於同一層中之與資料線DL相同的材料形成。
    同時，第一閘極金屬10電性連接源極-汲極金屬16，源極-汲極金屬16電性連接第二閘極金屬12，第一閘極金屬10電性連接第三閘極金屬14。因此，從共同電壓供應裝置8施加到第一閘極金屬10的共同電壓Vcom被施加到共同線CL，因而可以被施加到第一與第二虛擬像素DP1與DP2以及像素P。
    具體地，第一閘極金屬10與源極-汲極金屬16彼此電性連接，藉以用於分別暴露出第一閘極金屬10與源極-汲極金屬16的第一與第二接觸孔H1與H2被第一連接圖案18覆蓋。這裏，第一接觸孔H1穿過保護膜以及閘極絕緣膜，並使第一閘極金屬10的一部分暴露出來，以及第二接觸孔H2穿過保護膜，並使源極-汲極金屬16的一部分暴露出來。第一連接圖案18可由處於同一層中之與像素電極相同的材料形成。
    另外，源極-汲極金屬16與第二閘極金屬12彼此電性連接，藉以用於分別暴露出源極-汲極金屬16與第二閘極金屬12的第三與第四接觸孔H3與H4被第二連接圖案覆蓋20。這裏，第三接觸孔H3穿過保護膜，並使源極-汲極金屬16的一部分暴露出來，以及第四接觸孔H4穿過保護膜以及閘極絕緣膜，並使第二閘極金屬12的一部分暴露出來。第二連接圖案20可由處於同一層中之與像素區的像素電極相同的材料形成。
    如第3圖所示，第一閘極金屬10與第三閘極金屬14彼此電性連接，藉以用於分別暴露出第一閘極金屬10與第三閘極金屬14的第五與第六接觸孔H5與H6被第三連接圖案22覆蓋。這裏，第五接觸孔H5穿過保護膜以及閘極絕緣膜，並使第一閘極金屬10的一部分暴露出來，以及第六接觸孔H6穿過保護膜以及閘極絕緣膜，並使第三閘極金屬16的一部分暴露出來。第三連接圖案22可由處於同一層中之與像素區的像素電極相同的材料形成。
    於是，下面將概括共同電壓Vcom被引入到共同線CL中所經過的路徑。共同電壓Vcom通過按照第一閘極金屬10、第一連接圖案18、源極-汲極金屬16、第二連接圖案20以及第二閘極金屬12這樣的順序施加到每條共同線CL的一側。另外，共同電壓Vcom通過按照第一閘極金屬10、第三連接圖案22以及第三閘極金屬14這樣的順序施加到每條共同線CL的另一側。
    正因如此，在本實施例中，共同電壓Vcom跳過第一至第三閘極金屬10、12與14以及源極-汲極金屬16，從而施加至共同線CL。因此，能夠減小引入到共同線CL中之共同電壓Vcom的路徑之間的電阻偏差，並能夠防止靜電放電被集中引入到共同線CL中的問題。
    供參考，靜電放電流向具有相對較低電阻的部分。由於第一閘極金屬10具有大的面積，所以靜電放電容易引入到第一閘極金屬10。被引入到第一閘極金屬10中的靜電放電可引入到電性連接於第一閘極金屬10的共同線CL中。當第一閘極金屬10與共同線CL之間的電連接路徑不同時，可能在第一閘極金屬10與共同線CL之間產生電阻偏差。結果，被引入到第一閘極金屬10中的靜電放電集中流向具有相對較低電阻的共同線CL。正因如此，當靜電放電衝擊集中於具體的共同線CL中時，相對應的共同線CL可能被損壞，或者與共同線CL相交的資料線DL可能被損壞。第5圖舉例說明靜電放電衝擊集中於具體共同線CL中導致資料線DL損壞的示例。依據本發明，第一閘極金屬10與共同線CL之間的電連接路徑相同，能夠阻止靜電放電衝擊集中於具體共同線CL中，結果，能夠防止線路的破壞或者薄膜電晶體TFT的損壞。
    同時，在本實施例中，為了減小由於靜電放電導致的訊號線與薄膜電晶體的損壞，液晶顯示裝置包括複數個防靜電放電電路，下面詳細描述這種配置。
    參閱第2圖與第3圖，虛擬顯示區DA進一步包括虛擬資料線DDL、虛擬共同線DCL以及複數個防靜電放電電路。
    虛擬資料線DDL設置在第一方向上，使得其相鄰於第一條以及最後一條資料線DL。虛擬資料線DDL分支成三條虛擬資料線DDL支路，使得該等虛擬資料線對應於設置成三列的第二虛擬像素DP2，從而連接至該等第二虛擬像素DP2。
    虛擬共同線DCL從第一閘極金屬10中沿著第二方向分支出來，並橫貫虛擬資料線DDL以及資料線DL。這樣的虛擬共同線DCL的數量可為至少一條。
    該等防靜電放電電路包括第一至第四防靜電放電電路24a至24d。
    第一防靜電放電電路24a保護資料線DL避免受到靜電放電衝擊的破壞。為此目的，第一防靜電放電電路24a設置在資料線DL與虛擬共同線DCL之間，並且連接至資料線DL以及虛擬共同線DCL。
    第二防靜電放電電路24b防止虛擬共同線DCL受到靜電放電衝擊的破壞。為此目的，第二防靜電放電電路24b設置在虛擬共同線DCL與第一閘極金屬10之間，並且連接至虛擬共同線DCL以及第一閘極金屬10。
    第三防靜電放電電路24c防止虛擬資料線DDL受到靜電放電衝擊的破壞。為此目的，第三防靜電放電電路24c設置在虛擬資料線DDL與虛擬共同線DCL之間，並且連接至虛擬資料線DDL以及虛擬共同線DCL。
    第四防靜電放電電路24d防止閘極線GL受到靜電放電衝擊的破壞。為此目的，第四防靜電放電電路24d設置在閘極線GL與源極-汲極金屬16之間，並且連接至閘極線GL以及源極-汲極金屬16。
    特別地，本實施例的特徵在於虛擬資料線DDL設置在第二與第三防靜電放電電路24b與24c之間。如第4圖所示，當虛擬資料線DDL設置在第一閘極金屬10與第二防靜電放電電路24b之間時，由於從第一閘極金屬10引入到虛擬共同線DCL中的靜電放電而導致虛擬資料線DDL可能容易損壞。依據本發明，藉由將虛擬資料線DDL設置在第二與第三防靜電放電電路24b與24c之間，能夠防止虛擬資料線DDL的損壞。
    下文中，將詳細描述基於本發明一實施例之液晶顯示裝置的製造方法。
    按照依據本實施例的液晶顯示面板2的薄膜電晶體陣列基板，複數條閘極線GL、複數條共同線CL以及第一至第三閘極金屬10、12及14由同樣的材料形成在同一層中，如上所述。並且，資料線DL與源極-汲極金屬16由同樣的材料形成在同一層中，像素電極與第一至第三連接圖案18、20及22由同樣的材料形成在同一層中。
    也就是說，依據本實施例的第一至第三閘極金屬10、12及14、源極-汲極金屬16以及第一至第三連接圖案18、20及22與設置在像素區中的薄膜電晶體同時形成，因此不需要不同的光罩製程來形成這些組件。下文中，為了描述方便，將提供一種製造包含在像素區中的薄膜電晶體TFT的製程。第6圖為舉例說明包含在像素區中之薄膜電晶體TFT的示意性截面圖以及沿著第2圖中所示TFT之X-Y線的截面圖。下面將參考第6圖描述液晶顯示裝置的製造方法。
    首先，利用金屬在基板50上形成閘極金屬層，然後將該閘極金屬層圖案化，以形成複數個閘極圖案。該等閘極圖案包括複數條閘極線GL以及閘極電極26，閘極電極26從對應於像素區的閘極線GL突出。該等閘極圖案進一步包括第一至第三閘極金屬10、12及14、共同線CL以及虛擬共同線DCL。
    接下來，利用無機絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)，在包括該等閘極圖案的基板50上形成閘極絕緣膜60。
    另外，含有純非晶矽的半導體層28與含有不純非晶矽的歐姆接觸層34堆疊在閘極絕緣膜60上。這時，半導體層28與歐姆接觸層34在與閘極電極26重疊的區域中形成為島狀體。
    接下來，利用從導電金屬群組中選出的一種金屬，在包括半導體層28以及歐姆接觸層34的基板50上形成源極-汲極金屬層，然後將該源極-汲極金屬層圖案化，以形成複數個源極-汲極圖案。該等源極-汲極圖案包括複數條資料線DL、連接至對應於像素區的複數條資料線DL的源極電極30、以及汲極電極32，該汲極電極32與源極電極30隔開，使得閘極電極26設置在汲極電極32與源極電極30之間。源極-汲極圖案進一步包括源極-汲極金屬16以及虛擬資料線DDL。
    接下來，暴露在源極電極30與汲極電極32之間的歐姆接觸層34被移除，使半導體層28暴露出來。
    接下來，利用從由氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)組成的群組中選出的無機絕緣材料，或者從苯並環丁烯(BCB)與丙烯酸樹脂中選出的有機絕緣材料，在包括源極-汲極圖案的基板50上形成保護膜70。
    選擇性地移除保護膜70與閘極絕緣膜60，以形成像素接觸孔以及前面提及的第一至第六接觸孔H1至H6，該像素接觸孔使汲極電極32暴露出來。
    接下來，在所產生的結構上設置從由銦錫氧化物(ITO)與銦鋅氧化物(IZO)組成的群組中選出的透明導電金屬，並將該透明導電金屬圖案化，以形成複數個透明圖案。該等透明圖案包括覆蓋像素接觸孔的像素電極36以及與像素電極36形成電場的公共電極(圖中未顯示)。該等透明圖案進一步包括前面提及的第一至第三連接圖案18、20及22。
    同時，前面提及的第一至第四防靜電放電電路24a至24d包括複數個薄膜電晶體。該等薄膜電晶體也與設置在像素區中的薄膜電晶體同時形成。
    正因如此，在本實施例中，第一至第三閘極金屬10、12及14、源極-汲極金屬16以及第一至第三連接圖案18、20及22與設置在像素區中的薄膜電晶體同時形成，因此不需要單獨的光罩製程來形成這些組件。
    同時，基於第2圖與第3圖中所示的配置，本實施例能夠減少由於在製作薄膜電晶體陣列基板過程中產生的靜電放電所導致的產品缺陷，從而提高成品率。特別是，在製造薄膜電晶體的製程中，藉由化學氣相沉積法(CVD)進行無機絕緣材料與純非晶矽的沉積，並且利用乾式蝕刻來圖案化各種金屬層。在CVD或乾式蝕刻過程中，可產生大量的靜電放電。如上所述，靜電放電可能集中於共同線CL中的具體線路中。特別是，在選擇性地移除被沉積的保護膜50的蝕刻製程或形成透明圖案的製程期間，由於所述製程是在形成該等閘極圖案之後進行，因此靜電放電衝擊容易集中於具體共同線CL中。依據本發明，基於第2圖與第3圖中所示的配置，能夠減少由於在像CVD或乾式蝕刻這樣的生產過程中所產生的靜電放電導致的產品缺陷。
    從前面的敍述中顯而易見，本發明減小了共同電壓被施加至複數條共同線所經過的路徑之間的電阻偏差，從而防止可能由於高壓靜電放電集中提供至具體共同線所造成的線路破壞或薄膜電晶體的損壞。並且，本發明改變了虛擬資料線的設計，從而減小虛擬資料線的靜電放電衝擊，以及防止線路的破壞或薄膜電晶體的損壞。
    本發明提高了在產品驅動過程中產品的可靠性，並且減少了由於在薄膜電晶體製造過程中產生的大量靜電放電所造成的產品缺陷，從而有利地提高了產品的成品率以及降低了生產成本。
    顯然，對本領域技術人員而言，在不脫離本發明的精神與範圍的情況下，可以對本發明作出各種修飾與變化。因此，意圖是本發明覆蓋本發明提供的修飾與變化，這些修飾與變化落入所附的申請專利範圍及其等效的範圍內。
    本申請案主張2011年12月7日提出的韓國專利申請第10-2011-0130497號的利益，該申請案特此作為參考如同納入在本文中被完全闡明。
    10‧‧‧第一閘極金屬
    12‧‧‧第二閘極金屬
    16‧‧‧源極-汲極金屬
    18‧‧‧第一連接圖案
    20‧‧‧第二連接圖案
    24a‧‧‧第一防靜電放電電路
    24b‧‧‧第二防靜電放電電路
    24c‧‧‧第三防靜電放電電路
    24d‧‧‧第四防靜電放電電路
    CL‧‧‧共同線
    DCL‧‧‧虛擬共同線
    DDL‧‧‧虛擬資料線
    DL‧‧‧資料線
    DP1‧‧‧虛擬像素
    DP2‧‧‧虛擬像素
    GL‧‧‧閘極線
    H1‧‧‧第一接觸孔
    H2‧‧‧第二接觸孔
    H3‧‧‧第三接觸孔
    H4‧‧‧第四接觸孔
    P‧‧‧像素
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種液晶顯示裝置，包括：複數個像素，由複數條閘極線與複數條資料線之間的交叉點界定；複數個虛擬像素，沿著該等像素的四周設置；複數條共同線，與該等閘極線平行地設置，該等共同線連接至該等像素及該等虛擬像素；一第一閘極金屬，用來接收一外部共同電壓；複數個第二閘極金屬，從該等共同線向一側延伸，該等第二閘極金屬具有一墊狀物形狀；一源極-汲極金屬，設置在與該等資料線平行的方向上，且位於該等第二閘極金屬的一側；一第一連接圖案，用來電性連接該第一閘極金屬與該源極-汲極金屬；以及一第二連接圖案，用來電性連接該源極-汲極金屬與該等第二閘極金屬。
    [2] 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，進一步包括：複數個第三閘極金屬，從該等共同線向另一側延伸，該等第三閘極金屬具有一墊狀物形狀；以及一第三連接圖案，用來電性連接該第一閘極金屬與該等第三閘極金屬。
    [3] 依據申請專利範圍第2項所述的液晶顯示裝置，其中該等第一至第三閘極金屬與該等共同線由處於同一層中之與該等閘極線相同的材料形成。
    [4] 依據申請專利範圍第2項所述的液晶顯示裝置，其中該源極-汲極金屬由處於同一層中之與該等資料線相同的材料形成。
    [5] 依據申請專利範圍第2項所述的液晶顯示裝置，其中該等第一至第三連接圖案由處於同一層中之與設置在該等像素中的像素電極相同的材料形成。
    [6] 依據申請專利範圍第1項所述的液晶顯示裝置，進一步包括：一虛擬資料線，平行於該等資料線而形成，以便相鄰於第一條以及最後一條資料線；一虛擬共同線，在與該等閘極線平行的方向上從所述第一閘極金屬中分支出來，該虛擬共同線橫貫該等資料線以及該虛擬資料線；一第一防靜電放電電路，介於該等資料線與該虛擬共同線之間，該第一防靜電放電電路連接至該等資料線以及該虛擬共同線；一第二防靜電放電電路，介於該虛擬共同線與該第一閘極金屬之間，該第二防靜電放電電路連接至該虛擬共同線以及該第一閘極金屬；以及一第三防靜電放電電路，介於該虛擬資料線與該虛擬共同線之間，該第三防靜電放電電路連接至該虛擬資料線以及該虛擬共同線，其中該虛擬資料線設置在該第二防靜電放電電路與該第三防靜電放電電路之間。
    [7] 依據申請專利範圍第6項所述的液晶顯示裝置，進一步包括：一第四防靜電放電電路，介於該等閘極線與該源極-汲極金屬之間，該第四防靜電放電電路連接至該等閘極線以及該源極-汲極金屬。
    [8] 一種製造液晶顯示裝置的方法，包括：在一基板上形成彼此相交的複數條閘極線與複數條資料線，以界定複數個像素區；在該等像素區中形成複數個像素，每個像素包括一薄膜電晶體與一像素電極；沿著該等像素的四周形成複數個虛擬像素；形成複數條與該等閘極線平行設置且與該等像素及該等虛擬像素連接的共同線，以及形成複數個從該等共同線向一側延伸且具有一墊狀物形狀的第二閘極金屬；形成一電性連接至一墊狀物單元的第一閘極金屬，以接收一外部共同電壓；形成一源極-汲極金屬，該源極-汲極金屬設置在與該等資料線平行的方向上，且位於該等第二閘極金屬的一側；以及形成一用於電性連接該第一閘極金屬與該源極-汲極金屬的第一連接圖案以及一用於電性連接該源極-汲極金屬與該等第二閘極金屬的第二連接圖案。
    [9] 依據申請專利範圍第8項所述之製造液晶顯示裝置的方法，進一步包括：形成複數個從該等共同線向另一側延伸且具有一墊狀物形狀的第三閘極金屬；以及形成一用於電性連接該第一閘極金屬與該等第三閘極金屬的第三連接圖案。
    [10] 依據申請專利範圍第9項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中該等第一至第三閘極金屬與該等共同線由處於同一層中之與該等閘極線相同的材料形成。
    [11] 依據申請專利範圍第9項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中該源極-汲極金屬由處於同一層中之與該等資料線相同的材料形成。
    [12] 依據申請專利範圍第9項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中該等第一至第三連接圖案由處於同一層中之與該像素電極相同的材料形成。
    [13] 依據申請專利範圍第8項所述之製造液晶顯示裝置的方法，進一步包括：形成一平行於該等資料線的虛擬資料線，使得該虛擬資料線相鄰於第一條以及最後一條資料線；形成一虛擬共同線，使得該虛擬共同線在與該等閘極線平行的方向上從所述第一閘極金屬中分支出來並橫貫該等資料線以及該虛擬資料線；形成一第一防靜電放電電路，使得該第一防靜電放電電路介於該等資料線與該虛擬共同線之間，並且連接至該等資料線以及該虛擬共同線；形成一第二防靜電放電電路，使得該第二防靜電放電電路介於該虛擬共同線與該第一閘極金屬之間，並且連接至該虛擬共同線以及該第一閘極金屬；以及形成一第三防靜電放電電路，使得該第三防靜電放電電路介於該虛擬資料線與該虛擬共同線之間，並且連接至該虛擬資料線與該虛擬共同線，其中該虛擬資料線設置在該第二防靜電放電電路與該第三防靜電放電電路之間。
    [14] 依據申請專利範圍第13項所述之製造液晶顯示裝置的方法，進一步包括：形成一第四防靜電放電電路，使得該第四防靜電放電電路設置在該等閘極線與該源極-汲極金屬之間，並且連接至該等閘極線以及該源極-汲極金屬。
    [15] 依據申請專利範圍第14項所述之製造液晶顯示裝置的方法，其中該等第一至第四防靜電放電電路與設置在該像素區中的該薄膜電晶體同時形成。
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